Estudio de la oxidación del silicio poroso y su relación con la conductividad eléctrica transversal

Abstract

El silicio poroso posee una estructura llena de surcos que aumenta su superficie, que además tiene una reactividad muy alta, y esto hace que sea muy propensa a oxidarse; por ello en este trabajo se han obtenido muestras de silicio poroso mediante anodización para lograr capas de óxido de diversas características mediante la variación de parámetros experimentales. A continuación se han caracterizado mediante microscopía electrónica para tratar de lograr un modelo que relacione la cantidad (en porcentaje atómico) de oxígeno presente con los parámetros de fabricación del silicio poroso. Se han obtenido resultados en muestras con antigüedad de un día y con antigüedad de 15 días; la cantidad aumenta de forma bastante lineal en muestras con más tiempo y presenta un máximo para amperajes de anodización bajos en muestras más jóvenes. También se han realizado medidas mediante un dispositivo construido para estudiar la conductividad eléctrica del óxido de silicio, logrando ver corriente túnel y emisión por efecto de campo.